IGBT-transistor IRG4PF50WPBF
| +180 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 1 |
IGBT-transistor IRG4PF50WPBF. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-247AC. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Behuizing: TO-247. C(inch): 3300pF. CE-diode: nee. Collector piekstroom IP [a]: 204A. Collector-emitterspanning Uce [V]: 900V. Collector-emitterspanning Vceo: 900V. Collectorstroom Ic [A]: 51A. Collectorstroom: 51A. Componentfamilie: IGBT-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Germaniumdiode: nee. Ic(T=100°C): 28A. Ic(puls): 204A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 29 ns. Kanaaltype: N. Kosten): 200pF. Markering van de fabrikant: IRG4PF50W. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Maximale temperatuur: +150°C.. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. RoHS: ja. Td(aan): 29 ns. Td(uit): 110 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.25V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13