IGBT-transistor IKW50N120CS7XKSA1
Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
26.66€
5-9
25.05€
10-19
24.51€
20-49
24.02€
50+
23.35€
| +1 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 1 |
IGBT-transistor IKW50N120CS7XKSA1. Aanval: 290nC. Behuizing: TO-247AC. Collector piekstroom IP [a]: 150A. Collector-emitter-spanning: 1200V. Collectorstroom Ic [A]: 50A. Collectorstroom: 82A. Emitter - poortspanning: ±20V. Ingebouwde diode: ja. RoHS: ja. Spanning (verzamelaar - emitter): 1200V. Type transistor: IGBT-transistor. Vermogen: 428W. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 01/11/2025, 14:08
IKW50N120CS7XKSA1
13 parameters
Aanval
290nC
Behuizing
TO-247AC
Collector piekstroom IP [a]
150A
Collector-emitter-spanning
1200V
Collectorstroom Ic [A]
50A
Collectorstroom
82A
Emitter - poortspanning
±20V
Ingebouwde diode
ja
RoHS
ja
Spanning (verzamelaar - emitter)
1200V
Type transistor
IGBT-transistor
Vermogen
428W
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies