IGBT-transistor IKW25N120T2

IGBT-transistor IKW25N120T2

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1+
15.59€
Hoeveelheid in voorraad: 348

IGBT-transistor IKW25N120T2. Aantal aansluitingen: 3. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Behuizing: TO-247. Collector piekstroom IP [a]: 100A. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collectorstroom Ic [A]: 25A. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Inschakeltijd ton [nsec.]: 27 ns. Markering van de fabrikant: K25T1202. Maximale dissipatie Ptot [W]: 349W. Maximale temperatuur: +175°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6.4V. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 265 ns. Origineel product van fabrikant: Infineon. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/11/2025, 20:08

Technische documentatie (PDF)
IKW25N120T2
15 parameters
Aantal aansluitingen
3
Behuizing
TO-247
Collector piekstroom IP [a]
100A
Collector-emitterspanning Uce [V]
1.2 kV
Collectorstroom Ic [A]
25A
Componentfamilie
IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Inschakeltijd ton [nsec.]
27 ns
Markering van de fabrikant
K25T1202
Maximale dissipatie Ptot [W]
349W
Maximale temperatuur
+175°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
6.4V
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
265 ns
Origineel product van fabrikant
Infineon