IGBT-transistor IGW60T120
| +33 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 32 |
IGBT-transistor IGW60T120. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Behuizing (volgens datablad): PG-TO-247-3. Behuizing: TO-247. C(inch): 3700pF. CE-diode: nee. Collector piekstroom IP [a]: 150A. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Collectorstroom Ic [A]: 60A. Collectorstroom: 100A. Componentfamilie: IGBT-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Germaniumdiode: nee. Ic(T=100°C): 60A. Ic(puls): 150A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 50 ns. Kanaaltype: N. Kosten): 180pF. Markering op de kast: G60T120. Markering van de fabrikant: G60T120. Maximale dissipatie Ptot [W]: 375W. Maximale temperatuur: +150°C.. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 375W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6.5V. RoHS: ja. Td(aan): 50 ns. Td(uit): 480 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 480 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:27