IGBT-transistor IGP03N120H2

IGBT-transistor IGP03N120H2

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-49
4.07€
50+
2.95€
Hoeveelheid in voorraad: 71

IGBT-transistor IGP03N120H2. Aantal aansluitingen: 3. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Behuizing: TO-220AB. Collector piekstroom IP [a]: 9.9A. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collectorstroom Ic [A]: 3A. Componentfamilie: IGBT-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.2 ns. Markering van de fabrikant: G03H1202. Maximale dissipatie Ptot [W]: 62.5W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.9V. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 281 ns. Origineel product van fabrikant: Infineon. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/11/2025, 20:53

Technische documentatie (PDF)
IGP03N120H2
15 parameters
Aantal aansluitingen
3
Behuizing
TO-220AB
Collector piekstroom IP [a]
9.9A
Collector-emitterspanning Uce [V]
1.2 kV
Collectorstroom Ic [A]
3A
Componentfamilie
IGBT-transistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Inschakeltijd ton [nsec.]
9.2 ns
Markering van de fabrikant
G03H1202
Maximale dissipatie Ptot [W]
62.5W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
3.9V
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
281 ns
Origineel product van fabrikant
Infineon