Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 1 | 9.20€ | 11.13€ |
2 - 2 | 8.74€ | 10.58€ |
3 - 4 | 8.56€ | 10.36€ |
5 - 9 | 8.28€ | 10.02€ |
10 - 17 | 8.10€ | 9.80€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 9.20€ | 11.13€ |
2 - 2 | 8.74€ | 10.58€ |
3 - 4 | 8.56€ | 10.36€ |
5 - 9 | 8.28€ | 10.02€ |
10 - 17 | 8.10€ | 9.80€ |
IGBT-transistor HGTG20N60A4D. IGBT-transistor. RoHS: ja. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 35 ns. Functie: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 70A. Ic(puls): 280A. Ic(T=100°C): 40A. Markering op de kast: 20N60A4D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 73 ns. Td(aan): 15 ns. Origineel product van fabrikant Onsemi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 26/07/2025, 16:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.