FQU11P06

FQU11P06. C(inch): 420pF. Kosten): 195pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 83 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 37.6A. Binnendiameter (T=100°C): 5.95A. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 6.5 ns. Technologie: DMOS POWER-MOSFET. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 01:25.