FQT1N60CTF

FQT1N60CTF. C(inch): 130pF. Kosten): 19pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FQT1N60C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 9.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 13 ns. Td(aan): 7 ns. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 01:25.