FQPF85N06

FQPF85N06. C(inch): 3170pF. Kosten): 1150pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 212A. Binnendiameter (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 17nC, lage Crss 5,6pF. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 01:25.