DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
8.87€
5-9
8.21€
10-24
7.42€
25+
6.71€
+38 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 30

DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V. Behuizing: TO-247. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-247AD. Doorlaatstroom [A]: 30A. Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 200A. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Componentfamilie: Snelle gelijkrichterdiode (tr<500ns). Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Drempelspanning Vf (max): 2.74V. Functie: Diode zacht herstel. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ifsm [A]: 200A. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 250uA..1mA. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 250uA. Maximale temperatuur: +175°C.. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 165W. RoHS: ja. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 40 ns. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 1.2 kV. Spec info: 200Ap t=10ms, TVJ=45°C. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Trr-diode (min.): 40 ns. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.78V. [V]: 2.74V @ 30A. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 06:11

Technische documentatie (PDF)
DSEP30-12A
35 parameters
Behuizing
TO-247
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-247AD
Doorlaatstroom [A]
30A
Voorwaartse stroom (AV)
30A
IFSM
200A
Behuizing (volgens datablad)
TO-247AD
VRRM
1200V
Aantal aansluitingen
2
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Componentfamilie
Snelle gelijkrichterdiode (tr<500ns)
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
30
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Diëlektrische structuur
Anode-kathode
Drempelspanning Vf (max)
2.74V
Functie
Diode zacht herstel
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ifsm [A]
200A
Lekstroom bij sluiten Ir [A]
250uA..1mA
MRI (max.)
1mA
MRI (min)
250uA
Maximale temperatuur
+175°C.
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
165W
RoHS
ja
Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]
40 ns
Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]
1.2 kV
Spec info
200Ap t=10ms, TVJ=45°C
Technologie
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Trr-diode (min.)
40 ns
Voorwaartse spanning Vf (min)
1.78V
[V]
2.74V @ 30A
Origineel product van fabrikant
IXYS