DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V

DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-1
54.86€
2-3
51.49€
4-5
48.82€
6-9
46.54€
10+
43.42€
+5 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 2

DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (JEDEC-standaard): -. Doorlaatstroom [A]: 2x123A. Voorwaartse stroom (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 2. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Componentfamilie: Siliciumgelijkrichterdiode. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 10. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Functie: dubbele snelle hersteldiode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ifsm [A]: 1200A. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 1mA..20mA. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 1mA. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: schroef. Pd (vermogensdissipatie, max.): 357W. RoHS: ja. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 50 ns. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 200V. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: Epitaxiale diode. Trr-diode (min.): 35 ns. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.89V. [V]: 1.1V @ 120A. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:07

Technische documentatie (PDF)
DSEI2X121-02A
34 parameters
Behuizing
ISOTOP ( SOT227B )
Doorlaatstroom [A]
2x123A
Voorwaartse stroom (AV)
2x123A
IFSM
1200A
Behuizing (volgens datablad)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
200V
Aantal aansluitingen
4
Aantal aansluitingen
4
Aantal per doos
2
Bedrijfstemperatuur
-40...+150°C
Componentfamilie
Siliciumgelijkrichterdiode
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
10
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Diëlektrische structuur
Anode-kathode
Drempelspanning Vf (max)
1.1V
Functie
dubbele snelle hersteldiode
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ifsm [A]
1200A
Lekstroom bij sluiten Ir [A]
1mA..20mA
MRI (max.)
20mA
MRI (min)
1mA
Maximale temperatuur
+150°C.
Montage/installatie
schroef
Pd (vermogensdissipatie, max.)
357W
RoHS
ja
Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]
50 ns
Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]
200V
Spec info
1080Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
Epitaxiale diode
Trr-diode (min.)
35 ns
Voorwaartse spanning Vf (min)
0.89V
[V]
1.1V @ 120A
Origineel product van fabrikant
IXYS