BYV42E-200, 15A, 75A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V

BYV42E-200, 15A, 75A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.89€
5-24
1.63€
25-49
1.43€
50-99
1.30€
100+
1.11€
+457 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 65

BYV42E-200, 15A, 75A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V. Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 75A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 2. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Functie: Gelijkrichterdiodes, ultrasnel, robuust. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 0.5mA. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 20 ns. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.78V. Origineel product van fabrikant: Nxp Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:15

Technische documentatie (PDF)
BYV42E-200
21 parameters
Voorwaartse stroom (AV)
15A
IFSM
75A
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB ( SOT78 )
VRRM
200V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
2
Bedrijfstemperatuur
-40...+150°C
Diëlektrische structuur
gemeenschappelijke kathode
Drempelspanning Vf (max)
1.05V
Functie
Gelijkrichterdiodes, ultrasnel, robuust
Halfgeleidermateriaal
silicium
MRI (max.)
1mA
MRI (min)
0.5mA
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
RoHS
ja
Spec info
Ifsm--75Ap t=10ms / diode
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
20 ns
Voorwaartse spanning Vf (min)
0.78V
Origineel product van fabrikant
Nxp Semiconductors