BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V

BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0604€
50-99
0.0525€
100-199
0.0473€
200+
0.0400€
+41975 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 7862
Minimum: 10

BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Doorlaatstroom [A]: 0.16A. Voorwaartse stroom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 2. Cj: 2pF. Componentfamilie: dubbele kleinsignaaldiode, Opbouwmontage (SMD). Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Functie: dubbele lekarme diode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ifsm [A]: 2A. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 5nA...80nA. MRI (max.): 80nA. MRI (min): 5nA. Markering op de kast: JYs. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Productiedatum: 2014/49. RoHS: ja. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 3us. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 85V. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 0.6us. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V. [V]: 1V @ 10mA. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:15

Technische documentatie (PDF)
BAV199
35 parameters
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-236AB
Doorlaatstroom [A]
0.16A
Voorwaartse stroom (AV)
200mA
IFSM
500mA
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
85V
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
2
Cj
2pF
Componentfamilie
dubbele kleinsignaaldiode, Opbouwmontage (SMD)
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Diëlektrische structuur
Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt)
Drempelspanning Vf (max)
1.25V
Functie
dubbele lekarme diode
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ifsm [A]
2A
Lekstroom bij sluiten Ir [A]
5nA...80nA
MRI (max.)
80nA
MRI (min)
5nA
Markering op de kast
JYs
Maximale temperatuur
+150°C.
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Productiedatum
2014/49
RoHS
ja
Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]
3us
Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]
85V
Spec info
IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s)
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
0.6us
Voorwaartse spanning Vf (min)
0.9V
[V]
1V @ 10mA
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies
Minimale hoeveelheid
10