BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0429€
50-99
0.0383€
100+
0.0336€
+8500 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 1947
Minimum: 10

BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (JEDEC-standaard): -. Voorwaartse stroom (AV): 200mA. Doorlaatstroom [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 2. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Cj: 10pF. Componentfamilie: dubbele Schottky-diode, SMD-montage. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Drempelspanning Vf (max): 800mV. Functie: Dubbele Schottky-diode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Ifsm [A]: 0.6A. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 2uA. MRI (max.): 2uA. Markering op de kast: L44 of V4. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). RoHS: ja. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 5 ns. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 30 v. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Trr-diode (min.): 5 ns. Voorwaartse spanning Vf (min): 240mV. [V]: 0.4V @ 10mA. Origineel product van fabrikant: Nxp Semiconductors. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 12:18

Technische documentatie (PDF)
BAT54S-215
32 parameters
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Voorwaartse stroom (AV)
200mA
Doorlaatstroom [A]
0.2A
IFSM
600mA
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
30 v
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
2
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
Cj
10pF
Componentfamilie
dubbele Schottky-diode, SMD-montage
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Diëlektrische structuur
Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt)
Drempelspanning Vf (max)
800mV
Functie
Dubbele Schottky-diode
Halfgeleidermateriaal
Sb
Ifsm [A]
0.6A
Lekstroom bij sluiten Ir [A]
2uA
MRI (max.)
2uA
Markering op de kast
L44 of V4
Maximale temperatuur
+150°C.
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
RoHS
ja
Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]
5 ns
Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]
30 v
Spec info
IFSM--600mAp (t=10ms)
Trr-diode (min.)
5 ns
Voorwaartse spanning Vf (min)
240mV
[V]
0.4V @ 10mA
Origineel product van fabrikant
Nxp Semiconductors
Minimale hoeveelheid
10