BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0382€
50-99
0.0338€
100-499
0.0297€
500+
0.0215€
+12380 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 1957
Minimum: 10

BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V. Voorwaartse stroom (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Cj: 5pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Functie: Hoogspanningsschakeldiode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: zeefdruk/SMD-code JS. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 0.1uA. Markering op de kast: JS. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). RoHS: ja. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Trr-diode (min.): 50 ns. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Origineel product van fabrikant: Nxp Semiconductors. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 18:01

Technische documentatie (PDF)
BAS21
24 parameters
Voorwaartse stroom (AV)
200mA
IFSM
625mA
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
250V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Cj
5pF
Diëlektrische structuur
Anode-kathode
Drempelspanning Vf (max)
1.25V
Functie
Hoogspanningsschakeldiode
Halfgeleidermateriaal
silicium
Let op
zeefdruk/SMD-code JS
MRI (max.)
100uA
MRI (min)
0.1uA
Markering op de kast
JS
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
RoHS
ja
Spec info
IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A
Trr-diode (min.)
50 ns
Voorwaartse spanning Vf (min)
1V
Origineel product van fabrikant
Nxp Semiconductors
Minimale hoeveelheid
10