2SC3460

2SC3460. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 6A. Ic(puls): 20A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.3us. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PB. Type transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 10:25.