SMBJ36A

SMBJ36A

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.24€
5-49
0.17€
50-99
0.15€
100+
0.13€
+10019 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 49

SMBJ36A. Aantal aansluitingen: 2. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Behuizing (volgens datablad): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Behuizing: DO-214. Componentfamilie: voorbijgaande onderdrukkingsdiode. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Doorslagspanning: 36V. Drempelspanning Vf (max): 5V. Eigenschappen van halfgeleider: Glass Passivated. Functie: bescherming tegen overspanning. Halfgeleidermateriaal: silicium. Halfgeleiderstructuur: unidirectioneel. Houdspanning sluitrichting [V]: 36V. IFSM: 100A. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Lekstroom: 1uA. Max omgekeerde spanning: 36V. Maximale dissipatie (puls) Pp [W] @ t[msec.]: 600W @ 1ms. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 600W. Pulsstroom Max.: 10.3A. RoHS: ja. Soort diode: TVS. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Tolerantie: 5%. Type tijdelijke onderdrukker: unidirectioneel. Ubr [V] @ Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. VRRM: 36V. Vermogen: 600W. Voorwaartse spanning Vf (min): 3.5V. Origineel product van fabrikant: Taiwan Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:14

Technische documentatie (PDF)
SMBJ36A
35 parameters
Aantal aansluitingen
2
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
Behuizing (volgens datablad)
SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm )
Behuizing
DO-214
Componentfamilie
voorbijgaande onderdrukkingsdiode
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Diëlektrische structuur
Anode-kathode
Doorslagspanning
36V
Drempelspanning Vf (max)
5V
Eigenschappen van halfgeleider
Glass Passivated
Functie
bescherming tegen overspanning
Halfgeleidermateriaal
silicium
Halfgeleiderstructuur
unidirectioneel
Houdspanning sluitrichting [V]
36V
IFSM
100A
Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 36V
Lekstroom
1uA
Max omgekeerde spanning
36V
Maximale dissipatie (puls) Pp [W] @ t[msec.]
600W @ 1ms
Maximale temperatuur
+150°C.
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
600W
Pulsstroom Max.
10.3A
RoHS
ja
Soort diode
TVS
Spec info
Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms
Tolerantie
5%
Type tijdelijke onderdrukker
unidirectioneel
Ubr [V] @ Ibr [A]
44.2V @ 1mA
VRRM
36V
Vermogen
600W
Voorwaartse spanning Vf (min)
3.5V
Origineel product van fabrikant
Taiwan Semiconductor