Functie: Efficiënte Power-MOSFET en IGBT-schakeling . Let op: 4A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers. Let op: hoge snelheid. Let op: tr 9ns, tf 8ns (Cload=1000pF Vcc=18v). Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. VCC: 4.5...35V. Voedingsspanning: 40V