GBI10J, 10A, 600V. Voorwaartse stroom (AV): 10A. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 4. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Behuizing (volgens datablad): 30x20x3.6mm. Behuizing: SIP / SIL. Diëlektrische structuur: Diodebrug. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Equivalenten: KBJ10J. Halfgeleidermateriaal: silicium. Hoogte: 10x7.5x7.5mm. IFSM: 160A. MRI (max.): 5uA. Markering op de kast: +~~-. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. RoHS: ja. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Origineel product van fabrikant: Diodes Inc. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:45