DiĆ«lektrische structuur: Diodebrug. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Gelijkrichter brug. Driefasig: 0. Voorwaartse stroom (AV): 25A. IFSM: 300A. Equivalenten: D25XB60, D25SB80, TS25P06G, GBJ2508, GBK25K. Hoogte: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150Ā°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Aantal aansluitingen: 4. Spec info: 300Ap Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single