4N33M. Aantal aansluitingen: 6. Bedrijfstemperatuur: -55...+100°C. Behuizing (volgens datablad): DIP-6. Behuizing: DIP. CTR: 500 %. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Collectorstroom: 50mA. Courant IF-diode (piek): 3A. Diode IF: 80mA. Diodedrempelspanning: 1.2V. Diodevermogen: 150mW. Functie: Fototransistoruitgang, met basisaansluiting. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Minimale hFE-versterking: 5000. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150mW. RoHS: ja. Spec info: ton 5us, toff 100us. Uitgang: Darlington-transistoruitgang. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Vcbo: 100V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:29